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Toshiba 2SJ338

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型号

2SJ338

品牌

Toshiba

utmel 编号

2541-2SJ338

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-7J1B, 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SJ338 Toshiba TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-7J1B, 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SJ338详情

Toshiba 2SJ338重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2SJ338

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    东芝美国电子元器件

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    TOSHIBA CORP

  • Risk Rank

    5.77

  • Drain Current-Max (ID)

    1 A

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1 A

  • DS 击穿电压-最小值

    180 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    20 W

  • 达到SVHC

    unknown

0个相似型号

2SJ338拓展信息

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