Toshiba 2SK1079

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2SK1079

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.87

Drain Current-Max (ID)

0.0006 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.6 A

漏极-源极导通最大电阻

1.8 Ω

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

反馈上限-最大值 (Crss)

35 pF

达到SVHC

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