Toshiba 2SK1826

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

2SK1826

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.8

Part Package Code

SOT-23

Drain Current-Max (ID)

0.05 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.05 A

漏极-源极导通最大电阻

50 Ω

DS 击穿电压-最小值

50 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.2 W