2SK2610详情
Toshiba 2SK2610重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rating (DC)
900 V
RoHS
Compliant
Package Description
LEAD FREE, 2-16C1B, SC-65, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2SK2610
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Risk Rank
5.35
Part Package Code
SC-65
Drain Current-Max (ID)
5 A
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
最大功率耗散
150 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
额定电流
5 A
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
40 ns
漏源电压 (Vdss)
900 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
5 A
漏极-源极导通最大电阻
2.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
15 A
输入电容
1.2 nF
DS 击穿电压-最小值
900 V
雪崩能量等级(Eas)
595 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大rds
2.5 Ω
达到SVHC
unknown
无铅
无铅
2SK2610拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba








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