Toshiba 2SK2613

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

1 kV

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2SK2613

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

终身购买

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.34

Drain Current-Max (ID)

8 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

150 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

8 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

20 ns

漏源电压 (Vdss)

1 kV

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

8 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8 A

漏极-源极导通最大电阻

1.7 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A

输入电容

2 nF

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

910 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

最大rds

1.7 Ω

辐射硬化

无

达到SVHC

unknown

无铅

无铅