2SK2613(F)详情
Toshiba 2SK2613(F)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2SK2613(F)
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Risk Rank
8.55
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
150 W
元素配置
Single
功率耗散
150 W
上升时间
20 ns
漏源电压 (Vdss)
1 kV
连续放电电流(ID)
8 A
阈值电压
4 V
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏源击穿电压
1 kV
输入电容
2 nF
漏源电阻
1.7 Ω
最大rds
1.7 Ω
宽度
4.8 mm
高度
19 mm
长度
15.9 mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
无
无铅
无铅
2SK2613(F)拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba








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