2SK2614(Q)详情
Toshiba 2SK2614(Q)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
RoHS
Compliant
电阻
46 mΩ
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
40 W
元素配置
Single
功率耗散
40 W
上升时间
15 ns
漏源电压 (Vdss)
50 V
连续放电电流(ID)
20 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
50 V
输入电容
900 pF
漏源电阻
46 mΩ
最大rds
46 mΩ
无铅
无铅
2SK2614(Q)拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
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