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Toshiba 2SK2666
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2SK2666
2541-2SK2666
集成电路（IC）
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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2SK2666 Toshiba Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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