2SK2964详情
Toshiba 2SK2964重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Risk Rank
8.09
Drain Current-Max (ID)
2 A
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Part Life Cycle Code
不推荐
Number of Elements
1
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
2SK2964
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
小概要
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低漏电流
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2 A
漏极-源极导通最大电阻
0.25 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.5 W
环境耗散-最大值
1.5 W
达到SVHC
unknown
2SK2964拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba








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