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Toshiba 2SK3017(F)

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型号

2SK3017(F)

品牌

Toshiba

utmel 编号

2541-2SK3017(F)

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 900V 8.5A 2-16F1B

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2SK3017(F) Toshiba MOSFET N-CH 900V 8.5A 2-16F1B

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2SK3017(F)详情

Toshiba 2SK3017(F)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2SK3017(F)

  • Manufacturer

    东芝美国电子元器件

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Ihs Manufacturer

    TOSHIBA CORP

  • Risk Rank

    6.99

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 最大功率耗散

    90 W

  • 配置

    Single

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    90 W

  • 上升时间

    25 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    900 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    8.5 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30 V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    8.5 A

  • 漏源击穿电压

    900 V

  • 输入电容

    2.15 nF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    90 W

  • 漏源电阻

    1.25 Ω

  • 最大rds

    1.25 Ω

  • 辐射硬化

  • 达到SVHC

    unknown

0个相似型号

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