2SK3017(F)详情
Toshiba 2SK3017(F)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
RoHS
Compliant
Package Description
,
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2SK3017(F)
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Risk Rank
6.99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
FET 通用电源
最大功率耗散
90 W
配置
Single
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
90 W
上升时间
25 ns
漏源电压 (Vdss)
900 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
8.5 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8.5 A
漏源击穿电压
900 V
输入电容
2.15 nF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
90 W
漏源电阻
1.25 Ω
最大rds
1.25 Ω
辐射硬化
无
达到SVHC
unknown
2SK3017(F)拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba








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