Toshiba 2SK3078A

表面安装

YES

材料

Si

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

ECCN (US)

EAR99

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

10

Maximum Gate Source Voltage (V)

5

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

1.2

Maximum VSWR

10

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.5

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

5000

Maximum IDSS (uA)

10

Maximum Power Dissipation (mW)

3000

Output Power (W)

0.028(Min)

Typical Power Gain (dB)

8(Min)

Typical Drain Efficiency (%)

50(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-45

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

PW-Mini

Military

无

Mounting

表面贴装

Package Height

1.6(Max)

Package Length

4.6(Max)

Package Width

2.5

PCB changed

3

Tab

Tab

Lead Shape

Flat

Package Description

2-5K1D, SC-62, 3 PIN

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SK3078A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.23

Part Package Code

SC-62

Drain Current-Max (ID)

0.5 A

包装

卷带

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

配置

单双源

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.5 A

DS 击穿电压-最小值

10 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3 W

最高频段

超高频段

功率增益-最小值(Gp)

8 dB

RoHS状态

符合RoHS标准