2SK3633(F)详情
Toshiba 2SK3633(F)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
7 A
Part Package Code
SC-65
Risk Rank
2.33
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
2SK3633(F)
Rohs Code
有
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.7 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
21 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级(Eas)
420 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
unknown
2SK3633(F)拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba








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