Toshiba 2SK3878(F)

工厂交货时间

23 Weeks, 1 Day

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-3PN

Number of Elements per Chip

1

Risk Rank

6.32

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Samacsys Description

MOSFET N-Channel 900V 9A TO-3PN Toshiba 2SK3878(F) N-channel MOSFET Transistor, 9 A, 900 V, 3-Pin TO-3PN

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Manufacturer Part Number

2SK3878(F)

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Description

,

系列

2SK

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

150 W

配置

Single

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150 W

上升时间

25 ns

漏源电压 (Vdss)

900 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

9 A

阈值电压

4 V

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9 A

输入电容

2.2 nF

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

漏源电阻

1.3 Ω

最大rds

1.3 Ω

栅源电压

4 V

宽度

4.8 mm

高度

19 mm

长度

15.9 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅