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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥18.698843
10
¥17.640418
100
¥16.641905
500
¥15.69991
1000
¥14.811235
2SK4013详情
Toshiba 2SK4013重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Drain Current-Max (ID)
6 A
Part Package Code
SC-67
Risk Rank
1.93
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
2SK4013
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
无铅代码
无
最高工作温度
150 °C
子类别
FET 通用电源
最大功率耗散
45 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
800 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
6 A
阈值电压
4 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6 A
漏极-源极导通最大电阻
1.7 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
18 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级(Eas)
317 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
45 W
达到SVHC
Unknown
2SK4013拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba







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