Toshiba 2SK526

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

10 A

Risk Rank

8.77

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

2SK526

Rohs Code

无

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Style

FLANGE MOUNT

JESD-609代码

e0

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.6 Ω

DS 击穿电压-最小值

250 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

环境耗散-最大值

40 W

达到SVHC

unknown