Toshiba 3SK256

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

3SK256

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.27

Drain Current-Max (ID)

0.03 A

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DUAL GATE, DEPLETION MODE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.03 A

DS 击穿电压-最小值

13.5 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

0.03 pF

最高频段

超高频段

功率增益-最小值(Gp)

18 dB

达到SVHC

unknown