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技术文档
型号
DF2S6P2CTC,L3F(T
品牌
Toshiba
utmel 编号
2541-DF2S6P2CTC,L3F(T
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Plana
起订量
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DF2S6P2CTC,L3F(T详情
技术参数
Toshiba DF2S6P2CTC,L3F(T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
RoHS
Compliant
Package Description
R-XBCC-N2
Package Style
CHIP CARRIER
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
DF2S6P2CTC,L3F(T
Package Shape
RECTANGULAR
Risk Rank
1.56
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
东芝美国电子元器件
技术
AVALANCHE
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
Reach合规守则
unknown
参考标准
IEC-61000-4-2, 4-5
JESD-30代码
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值
5.5 V
最大非代表峰值转速功率Dis
1900 W
击穿电压-最小值
5.6 V
击穿电压-最大值
8 V
DF2S6P2CTC,L3F(T拓展信息
公司资质
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