DRA01B详情
Toshiba DRA01B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
Package Description
,
Operating Temperature-Min
-30 °C
Operating Temperature-Max
90 °C
Manufacturer Part Number
DRA01B
Manufacturer
安森美半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.75
子类别
可控硅
触发装置类型
SCR
On-state Current-Max
100 A
重复峰值关态电压
100 V
非重复Pk在态电流
4 A
直流栅极触发电流(最大)
0.2 mA
直流栅极触发电压(最大)
0.8 V
通态电压最大值
2.5 V
达到SVHC
compliant
DRA01B拓展信息








哦! 它是空的。