注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
DRA01B
品牌
Toshiba
utmel 编号
2541-DRA01B
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DRA01B datasheet pdf and Unclassified product details from Toshiba stock available at utmel
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DRA01B详情
技术参数
Toshiba DRA01B重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
表面安装
NO
Package Description
,
Operating Temperature-Min
-30 °C
Operating Temperature-Max
90 °C
Manufacturer Part Number
Manufacturer
安森美半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.75
子类别
可控硅
触发装置类型
SCR
On-state Current-Max
100 A
重复峰值关态电压
100 V
非重复Pk在态电流
4 A
直流栅极触发电流（最大）
0.2 mA
直流栅极触发电压（最大）
0.8 V
通态电压最大值
2.5 V
达到SVHC
compliant
DRA01B拓展信息
公司资质
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