注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
GT20J341
品牌
Toshiba
utmel 编号
2541-GT20J341
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRANSISTOR IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
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GT20J341详情
技术参数
Toshiba GT20J341重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
安装类型
通孔
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Dimensions
10 x 4.5 x 15mm
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Package Type
TO-220SIS
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Switching Speed
100kHz
Risk Rank
5.68
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
Turn-off Time-Nom (toff)
370 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
200 ns
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
信道型
N
集电极电流-最大值(IC)
20 A
达到SVHC
unknown
GT20J341拓展信息
公司资质
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