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技术文档
型号
GT25J101
品牌
Toshiba
utmel 编号
2541-GT25J101
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRANSISTOR 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-3PN, TO-3PN, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
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GT25J101详情
技术参数
Toshiba GT25J101重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
400 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
500 ns
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Rise Time-Max (tr)
600 ns
Risk Rank
5.89
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH SPEED
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
150 W
集电极电流-最大值(IC)
25 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
4 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6 V
环境耗散-最大值
最大下降时间 (tf)
350 ns
达到SVHC
unknown
GT25J101拓展信息
公司资质
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