Toshiba GT8G132

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

1100 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

2200 ns

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

GT8G132

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.26

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大耗散功率(Abs)

1.1 W

集电极电流-最大值(IC)

8 A

集电极-发射器电压-最大值

400 V

栅极-发射极电压-最大值

6 V

达到SVHC

unknown