MG300Q2YS61
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Toshiba MG300Q2YS61

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型号

MG300Q2YS61

品牌

Toshiba

utmel 编号

2541-MG300Q2YS61

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Silicon N Channel IGBT TRANS IGBT MODULE N-CH 1200V 300A 7(2-109C4A)

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MG300Q2YS61
MG300Q2YS61 Toshiba Silicon N Channel IGBT TRANS IGBT MODULE N-CH 1200V 300A 7(2-109C4A)

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MG300Q2YS61详情

Toshiba MG300Q2YS61重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    7

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Ihs Manufacturer

    TOSHIBA CORP

  • Manufacturer

    东芝美国电子元器件

  • Manufacturer Part Number

    MG300Q2YS61

  • Number of Elements

    2

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Risk Rank

    5.82

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    600 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    500 ns

  • 附加功能

    HIGH SPEED

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    7

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X7

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    MOTOR CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    2700 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    300 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.6 V

0个相似型号

MG300Q2YS61拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS