Toshiba MG50H2YM1

表面安装

NO

终端数量

7

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

MG50H2YM1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.82

Drain Current-Max (ID)

50 A

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

7

JESD-30代码

R-PUFM-X7

资历状况

不合格

配置

SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.13 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

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