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技术文档
型号
MG75J2YS50
品牌
Toshiba
utmel 编号
2541-MG75J2YS50
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
GTR module silicon N channel IGBT for high power switching application
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MG75J2YS50详情
技术参数
Toshiba MG75J2YS50重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
7
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)
80 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
200 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
160 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Turn-off Time-Max (toff)
400 ns
Rise Time-Max (tr)
240 ns
Risk Rank
5.27
无铅代码
附加功能
HIGH SPEED
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
UPPER
终端形式
峰值回流焊温度(摄氏度)
JESD-30代码
R-XUFM-X7
资历状况
不合格
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
390 W
集电极电流-最大值(IC)
75 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.7 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
8 V
环境耗散-最大值
最大下降时间 (tf)
300 ns
达到SVHC
unknown
MG75J2YS50拓展信息
公司资质
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