Toshiba MP4209

表面安装

NO

引脚数

10

终端数量

10

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T10

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

MP4209

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.82

Drain Current-Max (ID)

3 A

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PSIP-T10

资历状况

不合格

配置

2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

3 A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.45 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

140 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

4 W

达到SVHC

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