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Toshiba MP4212

Name: MP4212
Brand: Toshiba
SKU: 2541-MP4212
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MP4212

品牌

Toshiba

utmel 编号

2541-MP4212

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.32 ohm, 4 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-25A1C, SIP-10, FET General Purpose Power

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MP4212 Toshiba TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.32 ohm, 4 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-25A1C, SIP-10, FET General Purpose Power

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MP4212详情

技术参数

Toshiba MP4212重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
引脚数

10
终端数量

10
晶体管元件材料

SILICON
RoHS

Non-Compliant
Package Description

2-25A1C, SIP-10
Package Style

IN-LINE
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number

MP4212
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

东芝美国电子元器件
Number of Elements

4
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP
Risk Rank

5.36
Drain Current-Max (ID)

5 A
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
JESD-30代码

R-PSIP-T10
资历状况

不合格
配置

2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.32 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A
DS 击穿电压-最小值

60 V
雪崩能量等级（Eas）

129 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC

unknown

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