MT3S111P
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Toshiba MT3S111P

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型号

MT3S111P

品牌

Toshiba

utmel 编号

2541-MT3S111P

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 300mW 4-Pin(3 Tab) PW-Mini / VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications

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MT3S111P
MT3S111P Toshiba Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 300mW 4-Pin(3 Tab) PW-Mini / VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications

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MT3S111P详情

Toshiba MT3S111P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    硅锗

  • Ihs Manufacturer

    TOSHIBA CORP

  • Manufacturer

    东芝美国电子元器件

  • Manufacturer Part Number

    MT3S111P

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Part Package Code

    SC-62

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Risk Rank

    5.64

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    8 MHz

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-F3

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    6 V

  • 最高频段

    超高频段

  • 集电极-基极电容-最大值

    1.3 pF

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MT3S111P拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS