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技术文档
型号
MT3S111P
品牌
Toshiba
utmel 编号
2541-MT3S111P
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 300mW 4-Pin(3 Tab) PW-Mini / VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications
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MT3S111P详情
技术参数
Toshiba MT3S111P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
硅锗
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Manufacturer
东芝美国电子元器件
Manufacturer Part Number
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Part Life Cycle Code
活跃
Part Package Code
SC-62
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.64
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
8 MHz
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSSO-F3
配置
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
集电极-发射器电压-最大值
6 V
最高频段
超高频段
集电极-基极电容-最大值
1.3 pF
MT3S111P拓展信息
公司资质
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