注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
RN1110(F)
品牌
Toshiba
utmel 编号
2541-RN1110(F)
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Toshiba RN1110(F) NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin ESM
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RN1110(F)详情
技术参数
Toshiba RN1110(F)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
安装类型
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
RoHS
Compliant
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1.6 x 0.8 x 0.7mm
Package Type
ESM
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Input Resistor
4.7 kΩ
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Maximum DC Collector Current
100 mA
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
引脚数量
元素配置
Single
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
宽度
800 µm
高度
700 µm
长度
1.6 mm
RN1110(F)拓展信息
公司资质
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