Toshiba RN2103(F)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Dimensions

1.6 x 0.8 x 0.7mm

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Maximum DC Collector Current

100 mA

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum DC Current Gain

70

Number of Elements per Chip

1

Package Type

ESM

RoHS

Compliant

Typical Input Resistor

22 kΩ

Typical Resistor Ratio

1

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

引脚数量

3

元素配置

Single

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

发射极基极电压 (VEBO)

-10 V

高度

700 µm

长度

1.6 mm

宽度

800 µm