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1

￥7.565746
10

￥7.137496
100

￥6.733487
500

￥6.352347
1000

￥5.992779

Toshiba Semiconductor and Storage TTC5200(Q)

Name: TTC5200(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-TTC5200(Q)
Price: 7.57 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TTC5200(Q)

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-TTC5200(Q)

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-3PL

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3 Tab) TO-3PL

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TTC5200(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Trans GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3 Tab) TO-3PL

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TTC5200(Q)详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage TTC5200(Q)重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-3PL
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

230V
Collector-Emitter Saturation Voltage

3V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

30MHz
Power Dissipation (Max)

150W
Number of Elements

1
hFEMin

80
操作温度

150°C TJ
包装

Tray
已出版

2009
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
频率

30MHz
元素配置

Single
功率耗散

150W
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

230V
最大集电极电流

15A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 1A 5V
最大集极截止电流

5μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 800mA, 8A
集电极基极电压(VCBO)

230V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
高度

26mm
长度

20.5mm
宽度

5.2mm
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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