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Toshiba RN2905T5LFT

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对比

型号

RN2905T5LFT

品牌

utmel 编号

2541-RN2905T5LFT

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO

起订量

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RN2905T5LFT

RN2905T5LFT Toshiba Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO

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技术参数

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Toshiba RN2905T5LFT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
底架

表面贴装
包装/外壳

SOT-363
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Power Dissipation (Max)

200mW
hFEMin

80
包装

Cut Tape (CT)
已出版

2014
极性

PNP
元素配置

Dual
集电极发射器电压(VCEO)

300mV
最大集电极电流

100mA
最大击穿电压

50V
频率转换

200MHz
发射极基极电压 (VEBO)

-5V
连续集电极电流

-100mA
RoHS状态

符合RoHS标准

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