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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 RN2905T5LFT
RN2905T5LFT
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Toshiba RN2905T5LFT

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型号

RN2905T5LFT

品牌

Toshiba

utmel 编号

2541-RN2905T5LFT

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO

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RN2905T5LFT Toshiba Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO

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RN2905T5LFT详情

技术参数

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Toshiba RN2905T5LFT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-363

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Power Dissipation (Max)

    200mW

  • hFEMin

    80

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2014

  • 极性

    PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最大击穿电压

    50V

  • 频率转换

    200MHz

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    -5V

  • 连续集电极电流

    -100mA

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Toshiba RN2905T5LFT.

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