Toshiba SSM3K121TU

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Flat Leads

供应商器件包装

UFM

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

厂商

东芝半导体与存储

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 1mA

操作温度

150°C

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

48mOhm @ 2A, 4V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

400 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.9 nC @ 4 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±10V

场效应管特性

-