TK40J20D,S1F(O
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Toshiba TK40J20D,S1F(O

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型号

TK40J20D,S1F(O

品牌

Toshiba

utmel 编号

2541-TK40J20D,S1F(O

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-3P-3, SC-65-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 200V 40A TO3P

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TK40J20D,S1F(O Toshiba MOSFET N-CH 200V 40A TO3P

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TK40J20D,S1F(O详情

Toshiba TK40J20D,S1F(O重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-3P-3, SC-65-3

  • 供应商器件包装

    TO-3P(N)

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    70

  • Manufacturer

    WIMA

  • Brand

    WIMA

  • RoHS

    Details

  • Package

    Tray

  • Base Product Number

    TK40J20

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    40A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    东芝半导体与存储

  • Power Dissipation (Max)

    260W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    150°C

  • 系列

    π-MOSVIII

  • 子类别

    Capacitors

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    44mOhm @ 20A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4300 pF @ 100 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    100 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    200 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 产品类别

    薄膜电容器

  • 场效应管特性

    -

  • 产品类别

    薄膜电容器

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TK40J20D,S1F(O拓展信息

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