Toshiba TTA1452BS4X

包装/外壳

TO-220SIS-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-220SIS

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

30 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

120

Collector-Emitter Saturation Voltage

190 mV

Unit Weight

0.059966 oz

Minimum Operating Temperature

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

50 MHz

Manufacturer

Toshiba

Brand

Toshiba

Maximum DC Collector Current

15 A

DC Current Gain hFE Max

240

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

12 A

厂商

东芝半导体与存储

Product Status

活跃

系列

TTA1452B

包装

Tube

操作温度

150°C (TJ)

子类别

Transistors

配置

Single

功率 - 最大

2 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1A, 1V

最大集极截止电流

5µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 300mA, 6A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

80 V

连续集电极电流

- 12 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT