Toshiba YTA640

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

YTA640

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.32

Drain Current-Max (ID)

15 A

系列

--

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

DIP to DIP, Reversed

定位的数量

60

颜色

Gray, Ribbon

行数

2

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

屏蔽/屏蔽

Unshielded

触点表面处理

Tin

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

电缆终端

IDC

使用方法

Socket (0.1), Board In

间距--连接器

0.100 (2.54mm)

晶体管应用

SWITCHING

间距--电缆

0.050 (1.27mm)

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.18 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

166 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

环境耗散-最大值

80 W

特征

--

长度

3.00 (914.40mm)

触点表面处理厚度

100.0µin (2.54µm)

达到SVHC

unknown