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Toshiba America Electronic Components 1ZB200

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型号

1ZB200

utmel 编号

2541-1ZB200

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

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1ZB200 Toshiba America Electronic Components DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

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1ZB200详情

Toshiba America Electronic Components 1ZB200重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • Housing material

    plastic

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

    无

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    TOSHIBA CORP

  • Package Description

    O-PALF-W2

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    长式

  • Reference Voltage-Nom

    200 V

  • Gross weight

    53.67

  • Transport package size/quantity

    39*33*26/130

  • Application area

    for cars

  • Maximum current

    15 A

  • Connector type

    5.5 x 2.5

  • 类型

    Socket adapter (socket) for cigarette lighter / pin connector 5.5x2.5

  • 颜色

    black

  • 端子位置

    AXIAL

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    O-PALF-W2

  • 资历状况

    不合格

  • Number of contacts

    2+2

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    SINGLE

  • 注意

    cable length 28 cm

  • 二极管类型

    跨压抑制二极管

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • Rated current

    10 A

  • Rep Pk反向电压-最大值

    160 V

  • 工作测试电流

    0.5 mA

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    200 W

  • 反向电流-最大值

    10 μA

  • 动态阻抗-最大值

    5000 Ω

  • Rated voltage

    12 / 24 V

  • 击穿电压-最小值

    180 V

  • 输出范围

    1 W

  • 击穿电压-最大值

    220 V

0个相似型号

技术文档: Toshiba America Electronic Components 1ZB200.

1ZB200拓展信息

CMZ36(TE12L,Q,M)
CMZ36(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S6.8FS
DF2S6.8FS

Toshiba

CRY68(TE85L,Q,M)
CRY68(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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