Toshiba America Electronic Components TK65E10N1

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Drain Current-Max (ID)

65 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0048 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

296 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

143 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

192 W