Toshiba Semiconductor and Storage 1SS193S,LF(D

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

125°C

Power Dissipation (Max)

0.15W

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.70

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

500nA @ 80V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2V @ 100mA

工作温度 - 结点

125°C Max

输出电流-最大值

0.1A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

80V

最大反向电压（DC）

80V

平均整流电流

100mA

反向恢复时间

4 ns

电容@Vr, F

3pF @ 0V 1MHz

RoHS状态

符合RoHS标准