Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954BTE85LF

Name: 2SA1954BTE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-2SA1954BTE85LF
Availability: InStock
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对比

型号

2SA1954BTE85LF

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-2SA1954BTE85LF

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.5A LN -12V VCEO

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2SA1954BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.5A LN -12V VCEO

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2SA1954BTE85LF详情

技术参数

Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954BTE85LF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-70, SOT-323
供应商器件包装

USM
Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V
Collector-Emitter Saturation Voltage

-110mV
Current-Collector (Ic) (Max)

500mA
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

130MHz
Power Dissipation (Max)

100mW
hFEMin

300
操作温度

125°C TJ
包装

Cut Tape (CT)
已出版

2009
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
极性

PNP
元素配置

Single
功率 - 最大

100mW
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

250mV
最大集电极电流

500mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

500 @ 10mA 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

12V
最大击穿电压

12V
频率转换

130MHz
集电极基极电压(VCBO)

-15V
发射极基极电压 (VEBO)

-5V
RoHS状态

符合RoHS标准

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