Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-Y,LF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-75, SOT-416

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Number of Elements

1

操作温度

125°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低噪音

最大功率耗散

100mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE

功率 - 最大

100mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

80mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 20mA 10V

转换频率

7000MHz

最大击穿电压

12V

频率转换

7GHz

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

最高频段

超高频B型

集电极-基极电容-最大值

1.15pF

噪音数字(分贝类型@ f)

1dB @ 500MHz

RoHS状态

符合RoHS标准