Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2544(F)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

80W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

元素配置

Single

功率耗散

80W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.25Ohm @ 3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

输入电容

1.3nF

漏源电阻

1.25Ohm

最大rds

1.25 Ω

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅