Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2847(F)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

85W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

功率耗散

85W

接通延迟时间

60 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ω @ 4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2040pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

900V

高度

20mm

长度

15.9mm

宽度

4.8mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅