Toshiba Semiconductor and Storage 4N25(SHORT,F)

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

安装类型

通孔

底架

通孔

触点镀层

Gold, Tin

引脚数

6

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

250mW

Current Transfer Ratio-Min

20% @ 10mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

包装

Tube

操作温度

-55°C~100°C

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

基本部件号

4N25

电压-隔离度

2500Vrms

输出电压

70V

输出类型

带基极晶体管

功率耗散

250mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.15V

输入类型

DC

正向电流

80mA

最大输出电压

30V

每个通道的输出电流

100mA

上升时间

2μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

100mA

上升/下降时间(Typ)

2μs 200μs

反向击穿电压

3V

最大输入电流

80mA

反向电压(直流电)

3V

电流传输比

100 %

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅