Toshiba Semiconductor and Storage 4N35(SHORT,F)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Current Transfer Ratio-Min

40% @ 10mA

Power Dissipation (Max)

300mW

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

已出版

1998

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

附加功能

UL 认证

基本部件号

4N35

电压-隔离度

2500Vrms

输出电压

30V

输出类型

带基极晶体管

配置

SINGLE

功率耗散

300mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.15V

输入类型

DC

光电子器件类型

晶体管输出光耦合器

正向电流

60mA

最大输出电压

30V

每个通道的输出电流

100mA

上升时间

3μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

100mA

反向击穿电压

6V

最大输入电流

60mA

输入电流

10mA

接通 / 关断时间（典型值）

3μs, 3μs

电流传输比

100 %

暗电流（最大）

50nA

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅