Toshiba Semiconductor and Storage 4N36(SHORT,F)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Current Transfer Ratio-Min

40% @ 10mA

Power Dissipation (Max)

300mW

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

基本部件号

4N36

电压-隔离度

2500Vrms

输出类型

带基极晶体管

通道数量

1

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.15V

输入类型

DC

正向电流

10mA

最大输出电压

30V

每个通道的输出电流

100mA

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

100mA

最大输入电流

60mA

最大直流驱动电流（If）

60mA

接通 / 关断时间（典型值）

3μs, 3μs

电流传输比

100 %

RoHS状态

符合RoHS标准