Toshiba Semiconductor and Storage 6N139(F)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

8-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

8

Current Transfer Ratio-Min

500% @ 1.6mA

Power Dissipation (Max)

100mW

Number of Elements

1

操作温度

0°C~70°C

包装

Tube

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

附加功能

UL RECOGNIZED, CMOS COMPATIBLE

基本部件号

6N139

电压-隔离度

2500Vrms

输出类型

带底座的达林顿

配置

SINGLE

功率耗散

100mW

输出电流

60mA

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.65V

输入类型

DC

光电子器件类型

逻辑IC输出光耦合器

正向电流

20mA

最大输出电压

18V

数据率

300 kbps

每个通道的输出电流

60mA

上升时间

60μs

下降时间（典型值）

25 μs

最大集电极电流

60mA

反向击穿电压

5V

最大输入电流

20mA

接通 / 关断时间（典型值）

200ns, 1μs

反向电压(直流电)

5V

电流传输比

800 %

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅