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Toshiba Semiconductor and Storage CUS06(TE85L,Q,M)

Name: CUS06(TE85L,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-CUS06(TE85L,Q,M)
Availability: InStock
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对比

型号

CUS06(TE85L,Q,M)

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-CUS06(TE85L,Q,M)

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

SC-76, SOD-323

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

X35 PB-F DIODE US-FLAT MOQ=400

起订量

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CUS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F DIODE US-FLAT MOQ=400

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CUS06(TE85L,Q,M)详情

技术参数

Toshiba Semiconductor and Storage CUS06(TE85L,Q,M)重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-76, SOD-323
引脚数

2
Operating Temperature (Max)

150°C
Operating Temperature (Min)

-40°C
包装

Tape & Reel (TR)
零件状态

活跃
元素配置

Single
速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型

Schottky
反向泄漏电流@ Vr

30μA @ 20V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

450mV @ 700mA
正向电流

1A
工作温度 - 结点

-40°C~150°C
峰值反向电流

30mA
最大重复反向电压(Vrrm)

20V
电容@Vr, F

40pF @ 10V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流

20A
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

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