DF2B12M1CT(TPL3)
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Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M1CT(TPL3)

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型号

DF2B12M1CT(TPL3)

utmel 编号

2541-DF2B12M1CT(TPL3)

商品类别

TVS - 二极管

封装

SOD-882

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TVS DIODE 8VWM 18VC CST2

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DF2B12M1CT(TPL3)
DF2B12M1CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TVS DIODE 8VWM 18VC CST2

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DF2B12M1CT(TPL3)详情

Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M1CT(TPL3)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOD-882

  • 引脚数

    2

  • Breakdown Voltage / V

    10V

  • Reverse Stand-off Voltage

    8V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2015

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Zener

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 应用

    通用型

  • 电容量

    500FF

  • 工作电压

    8V

  • 元素配置

    Single

  • 电源线保护

    无

  • 电压 - 击穿

    10V

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    1A 8/20μs

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    18V Typ

  • 箝位电压

    18V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    8V Max

  • 峰值脉冲电流

    1A

  • 方向

    双向

  • 双向通道

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    8V

  • 电容@频率

    0.3pF @ 1MHz

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M1CT(TPL3).

右边的3个型号有着和Toshiba Semiconductor and Storage & DF2B12M1CT(TPL3)相似的参数规格。

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